来源：晶上联盟 随着开发先进芯片的复杂性不断增加，减少晶圆边缘、斜面和背面的缺陷变得至关重要，而单个缺陷可能会产生跨越多个工艺和多芯片封装的代价高昂的影响。01晶圆边缘缺陷带来高昂成本风险由于混合键合等工艺的广泛推出，这些工艺需要原始表面，并且越来越强调多芯片/小芯片设计的可靠性，其中潜在的缺陷可能会将多个小芯片变成废料，这使得这变得更加困难。找到缺陷的根本原因，并确保它不是系统性的，并降低所有晶

Wolfspeed 创新性2300 V 模块采用200 mm 碳化硅技术，为包括可再生能源、储能、高容量快速充电基础设施在内的众多应用带来能效提升Wolfspeed 宣布与地面电站逆变器知名制造商EPC Power 达成合作2024年9月11日，全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）于近日宣布推出最新 2300 V 无基板碳化硅模块。这一碳化硅解决方

来源：深芯盟产业研究部据最新报告显示，全球Chiplet市场将显著增长，预计到2031年达到约6333.8亿美元，2023年至2031年的复合年增长率达71.3%。InsightAce分析公司发布了“2031年全球Chiplet市场、趋势、行业竞争分析、收入和预测”的市场评估报告。市场分为：按处理器：现场可编程门阵列（FPGA）、图形处理单元（GPU）、中央处理单元（CPU）、应用处理单元（APU

来源：长飞先进近日，安徽长飞先进半导体股份有限公司（以下简称“长飞先进”）创立大会顺利召开。这是公司改革发展历程中的又一重要里程碑，标志着原安徽长飞先进半导体有限公司成功完成股份制改革并迈向崭新的发展阶段。 大会现场，长飞先进各股东代表及公司管理层济济一堂，共同见证了这一历史性时刻。长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹发表致辞，向全体与会领导和嘉宾表达了热烈的欢迎与诚挚的感谢，同时宣布——“

来源：Cadence前言2024 年，AI 的“狂飙突进”势头不减，继ChatGPT之后，文生视频大模型 Sora 的推出更是让人们看到 AI 的无限可能。然而，随之而来的能耗问题也不容忽视。国际能源署（IEA）《Electricity 2024——Analysis and forecast to 2026E》的报告，ChatGPT 每响应一个请求需要消耗 2.9 瓦时，这相当于一个 5 瓦的 L

据外媒报道，在5nm和3nm制程工艺上，台积电和三星电子从阿斯麦采购了大量的极紫外光刻机，而随着制程工艺的升级，台积电和三星电子也需要购买更先进的光刻机，在2nm以下的制程工艺上，就需要高数值孔径极紫外光刻机。而外媒最新援引半导体产业内的消息报道称，在晶圆代工领域份额遥遥领先的台积电，将在月底从阿斯麦接收首台高数值孔径极紫外光刻机。阿斯麦官网公布的消息显示，他们的高数值孔径极紫外光刻机，将命名为E

近日，晶益通（四川）半导体科技有限公司旗下的IGBT模块材料与封测模组产业园项目已稳健推进至总建设进度的四成里程碑，预计将于明年5月全面竣工。该项目斥资高达12亿元人民币，精心规划占地面积约150亩，旨在分两阶段构建起覆盖大功率IGBT模块材料、封装基板与封测材料、半导体设备精密零部件等核心环节的完整产业链条。据项目负责人透露，竣工后，该产业园将具备强大的生产能力，年产量将包括设备模组与模具各10

上海芯元基半导体科技有限公司（以下简称“上海芯元基”）携手SmartKem，开展一场技术合作的盛大序曲，目的是为开发先进的背光源用玻璃基高压MIP芯片和玻璃基QD on CHIP LED芯片。SmartKem携其在有机分子材料方面的创新力与技术革新，与上海芯元基在半导体领域专业的产品与技术优势结合，以创建新的里程碑。上海芯元基以其在高压MIP产品发展上的专业经验和技术能力成为合作的重要一环。根据这

UCIe 标准演进的关键维度有以下四个方面：带宽密度：减少IO对硅片面积影响；AI对高带宽密度的需求灵活性：高效支持自定义协议可靠性：确保SiP使用寿命可测性：满足单硅片和多硅片的测试需求成立于2022年3月的通用小芯片互连快速联盟（UCIe）最近发布了其2.0规范，更新解决了跨多个小芯片的SiP生命周期的可测试性、可管理性和调试（DFx）的设计挑战，允许通过灵活统一的SIP管理和DFx操作方法实

据浙商创投消息，近日，中铭瓷（苏州）纳米粉体技术有限公司（以下简称 中铭瓷 ）获得由浙商创投在管的中小企业（浙普）基金独家投资，本次融资资金将用于中铭瓷新建厂房、产线建设等。中铭瓷成立于2017年11月，专注于半导体设备领域的陶瓷粉体材料以及民用航空航天领域的涂层粉体材料的研发、生产与销售。目前中铭瓷已在苏州及湖州两地设立生产工厂。浙商创投消息指出，自成立以来，中铭瓷在半导体陶瓷纳米粉体、多层芯片