6月17日晚间，苏州国芯科技股份有限公司发布自愿披露研发进展公告，公司自主研发的新一代汽车电子方向盘离手检测触控MCU CCM4202S-O完成全部内部测试，测试结果达标。公告披露，CCM4202S-O专为车载HOD方向盘离手检测系统定制开发，芯片采用40nm EFLASH工艺制造，遵循汽车电子Grade2可靠性标准、功能安全ASIL-B等级规范设计。片内集成32KB SRAM、512KB FLA

当地时间6月16日，2026年VLSI超大规模集成电路国际研讨会召开，英特尔代工部门现场披露Intel 18A-P工艺最新落地状态，同时公布三类面向长期芯片微缩的前沿研发成果。英特尔代工介绍，Intel 18A-P是Intel 18A工艺系列首款性能增强迭代版本，当前已正式进入风险试产阶段。依托基础Intel 18A工艺体系，英特尔代工已完成全环绕栅极GAA RibbonFET晶体管、背面供电BS

2026年6月17日，高通在增强现实世界博览会（AWE 2026）正式发布骁龙Reality Elite旗舰XR芯片平台，相关产品参数、终端落地规划完整收录于高通官方新闻通稿。官方披露，该芯片平台将于2026年秋季率先搭载在Xreal Aura Android XR设备的外置分体计算盒内。根据高通官方新闻稿披露的性能数据，对比前代旗舰XR芯片产品，骁龙Reality Elite实现多维度硬件性能升

当地时间6月16日，英伟达官方发布博文对外披露，其战略投资企业Coherent在美国得克萨斯州谢尔曼市举行工厂扩建奠基仪式，本次扩建项目核心聚焦6英寸磷化铟晶圆与高速光互连器件产能建设，相关产品用于实现AI算力集群机架间高速数据传输。本次扩建厂房依托Coherent2025年8月正式投产的现有晶圆厂区打造，该原有产线为全球首条实现规模化量产的6英寸磷化铟晶圆生产线。奠基仪式现场，英伟达创始人兼首席

6月16日，全球第二大封测外包企业安靠联合台积电同步对外发布官方声明，双方正式签署一份为期十年的长期战略合作协议，核心目标为共同提升美国亚利桑那州先进半导体封装产能，完善当地本土半导体产业链配套。根据双方官方披露内容，本次十年合作协议搭建长期服务采购框架，台积电将持续向安靠采购一站式先进封装与芯片测试服务，用于配套其亚利桑那凤凰城晶圆工厂产出的各类先进制程芯片。双方表示，依托地理位置邻近的产线布局

2026年6月17日，韩国媒体ZDNET Korea发布行业消息，三星电子正联合多家产业链合作伙伴，同步推进第七代10纳米级1D DRAM量产配套设备的联合研发工作。据业内知情人士向媒体透露，三星当前的设备导入目标设定在2027年第二季度至第三季度，该时间规划存在调整可能性。行业人士表示，设备进厂后还需完成产线搭建、工艺调试、良率爬坡等一系列量产前置工作，综合全流程筹备周期测算，三星最早将在202

2026湾区半导体产业生态博览会（简称“湾芯展”）观众预登记通道现已全面开启！本届展会定于2026年10月14-16日在深圳会展中心（福田）盛大举办，超70,000m²展览面积，覆盖IC设计、晶圆制造、先进封测三大产业链，携手全球800余家半导体优质企业，同期举办2026湾区半导体大会，配套30+场高规格前沿论坛，着力打造具有全球引领力的中国集成电路自主品牌第一展

AI应用正加速从云端走向端侧，智能终端、AI PC、智能穿戴、AIoT设备及边缘智能等应用场景持续升级，也对存储系统提出了更高要求。带宽、功耗、封装集成度、稳定性与系统适配能力，正在成为影响终端体验和系统效率的重要因素。6月23日，TSS2026集邦咨询半导体产业高层论坛将在深圳举行。届时，深圳市晶存科技股份有限公司将携LPDDR5/5X、ePOP、UFS、SSD及内存模组等多元化存储产品亮相现场

2026年6月16日，韩国科学技术院（KAIST）官方发布科研成果公告，该院跨学科团队研发完成一款芯片内置超高效液冷散热技术，相关实验数据、技术方案完整收录于6月15日正式上线的国际期刊《能量转换与管理》。根据学院官方新闻稿披露，该散热方案采用3D歧管微通道一体化结构，将微米级冷却水路直接刻蚀在硅芯片基底内部，无需外置冷板、复杂相变冷却介质，仅依靠普通室温水即可直接从芯片发热核心完成导热降温。实验

2026年6月18日晚间，斯瑞新材发布公告，披露公司计划投资建设“电热功能材料研发制造基地建设项目”，项目总投资额9.19亿元。公告载明，本次新建基地拆分两大子项目，分别对应光模块、电力设备两条核心产品线。其一为4000万件光模块芯片基座及壳体材料项目，规划投资4.79亿元；其二为1290吨高压开关触头及零组件项目，规划投资4.40亿元。整套项目建设周期设定为5年，整体预计