近日，合肥钧联汽车电子有限公司（简称：钧联电子）宣布完成近亿元A+轮融资。本轮融资由中信建投资本领投，海螺资本、芜湖科创集团共同跟投。钧联电子成立于2020年，是专注于第三代半导体SiC（碳化硅）功率模块及电驱动系统研发、制造与销售的国家高新技术企业。公司深耕800V高压电控、集成电驱总成全栈自研，具备从SiC功率模块、电机控制器到电驱总成全链条自研自制能力。产品覆盖新能源乘用车、新能源重卡、eV

5月28日，据路透社、财联社等权威媒体援引知情人士消息，日本政府支持的产业革新投资机构（JIC）正考虑出售半导体芯片材料制造商JSR。相关信息尚未公开披露，知情人士拒绝具名。JIC为日本政府背景投资基金，2024年4月完成对JSR私有化收购，交易对价约60亿美元，并推动其从东京证券交易所退市。JIC初始规划是以JSR为平台，推动日本半导体材料行业整合；当前受AI投资热潮带动，芯片供应链企业估值走高

据韩国科技媒体TheElec报道，韩国化学企业PKC已正式启动全罗北道群山工厂半导体级高纯氯气（Cl₂）产能扩建工程，整体产能提升50%。本次投资规模达数百亿韩元，系事先与三星电子协商后确定。扩产完成后，群山工厂高纯氯气年产能将由当前1400-1500吨，提升至2100-2200吨。PKC相关负责人确认该扩建项目，称旨在匹配新增业务需求；同时表示，因未达强制披露标准，公司不会单独发布公告。此次扩产

2026年5月29日–世界知名超频内存及高端电竞设备领导品牌，芝奇国际展示全新 32GB(16GBx2) 容量的超高速 DDR5 CU-DIMM 内存，仅需以 1.1V 超低电压，即可稳定运行于惊人的 DDR5-9200 CL74-74-74-148 超高速度。过往此等级高速内存多仅能于 2-DIMM 主板平台上实现，如今成功突破限制，已可在 4-DIMM 主板平台上达成稳定高速运作，

三星电子宣布，已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品。在完成初步样品交付和优化后，三星计划根据客户的进度安排开始批量生产HBM4E。此外，三星已规划扩展产品阵容，后续将推出8层32GB型和16层64GB型，以满足不同客户的多样化算力需求。HBM（高带宽存储器）是AI加速芯片的核心配套部件，其带宽与容量直接决定AI训练与推理的效率。三星自2015年切入HBM赛道，产品已历经十

集邦咨询TSS2026半导体产业高层论坛时间：2026年6月23日（周二）13:30-17:00地点：深圳·福田 金茂JW万豪酒店会议背景2026年，全球半导体产业正处于周期性复苏与结构性变革的交汇点。尽管国际贸易环境与供应链格局仍具不确定性，但全产业链在协同创新中展现出极强的韧性与活力。展望未来，半导体产业将迎来什么新趋势？在算力膨胀与能效约束的博弈中，谁又能握住穿越周期的关键钥匙

TrendForce集邦咨询: Agentic AI刺激存储器需求扩张，预估2027年全球存储器产值将扩大至1.28万亿美元根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，AI发展从大型模型训练转向以推理为核心的Agentic AI（代理式AI）应用，驱动存储器需求结构性扩张，由于供给缺口短期无法补足，推升价格上涨。因此，TrendForce集邦咨询大幅上调全球存储器产值预估，将2026年产值

韩国AI芯片企业FuriosaAI于当地时间5月27日正式宣布，与博通（Broadcom）达成战略合作，联合开发第三代AI推理加速器，目标2028年上半年完成样品交付。本次第三代芯片采用芯粒（Chiplet）架构设计，由三大核心单元构成：2nm先进制程计算裸晶、独立I/O裸晶、HBM4(E)高带宽内存堆栈。机架内多芯片互联将采用博通SUE（纵向扩展以太网）技术，搭建全连接拓扑网络，最终以机架级完整

5月26日晚间，科创板上市公司沈阳富创精密设备股份有限公司发布公告，拟以现金方式收购日扬科技股份有限公司旗下BVI公司HIGHLIGHT TECH INTERNATIONAL CORP.持有的日扬电子科技（上海）有限公司65%股权。公告显示，本次交易对价合计1.89亿元（实际作价1.885亿元），标的公司整体估值2.9亿元。资金来源为自有资金及/或银行贷款。交易完成后，上海日扬将成为富创精密控股子

厦门恒坤新材料科技股份有限公司5月29日晚间发布公告，拟联合多方共同出资设立合资公司，布局半导体旋涂型功能性材料（SOD）业务。公告显示，合资公司暂定名为厦门泓亘新材料科技有限公司，注册资本1亿元。各方出资明细如下：恒坤新材以自有资金出资5000万元，持股50%；恒申控股集团有限公司出资3000万元，持股30%；康文兵出资1000万元，持股10%；王钢出资500万元，持股5%；厦门启明芯投资合伙企