
日前,日本经济产业省称,决定在2025财年向芯片制造商 Rapidus 提供高达8025亿日元(约合人民币389亿元)的额外补贴。其中,高达6755亿日元将用于支持芯片制造的前道工序环节,另外1270亿日元将用于支持包括芯片封装和测试在内的后道工序环节。这笔巨额资金旨在帮助Rapidus从零开始,最终实现先进半导体的规模化量产。至此,日本政府为这家新兴的代工芯片制造商承诺投入的公共资金总额将达到1
详情3月31日,中兴通讯发布公告,当日召开的第十届董事会第一次会议审议通过《关于选举第十届董事会董事长的议案》,选举方榕为公司董事长。同日,中兴通讯第十届董事会聘任了公司新一任高级管理人员,徐子阳继续担任中兴通讯总裁,王喜瑜、李莹、谢峻石担任公司执行副总裁,分别负责研发、财务、运营管理及营销。据了解,方榕毕业于南京邮电大学通信工程专业,1995年到1997年任职于中兴通讯控股股东中兴新,1997年进入
详情据外媒报道,英特尔确认将于今年晚些时候在其位于爱尔兰莱克斯利普的Fab 34量产3nm芯片。据了解,Intel 3是该公司的第二个EUV光刻节点,每瓦性能比Intel 4工艺提高了18%。Intel公司在年度报告中表示,该工艺于2024年在美国俄勒冈州完成首批量产,2025年产能将全面转至爱尔兰莱克斯利普工厂。据介绍,英特尔同步向代工客户开放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm
详情据外媒报道,当地时间3月31日,英特尔在美召开了“Intel Vision”(英特尔愿景)大会,英特尔新任首席执行官陈立武首次公开亮相,并做了主题为“A New Intel”的开场演讲。陈立武强调了在人工智能(AI)时代采用更多软件主导的设计方法和设计专用芯片以支持客户关键工作负载的重要性。“英特尔在这些领域有很多经验。请关注英特尔,这将为我们未来创造巨大的机会。在英特尔,我们将重新定义我们的一些
详情据中国电科官微消息,日前,中国电科与西安电子科技大学签署战略合作框架协议。根据协议,双方将心怀“国之大者”,共同履行国家战略科技力量责任担当,在联合科研攻关、共建创新平台、科技成果转化、校企共建学科、人才交流培养等方面深化务实合作,促进创新链产业链人才链的深度融合与协同创新,聚力突破关键核心技术,加快科研成果转化落地和产业化应用,为加快建设科技强国作出新的更大贡献。西安电子科技大学党委书记任小龙表
详情据联电(UMC)官网报道,4月1日,联电宣布在新加坡举行扩建新厂开幕典礼,新厂第一期将自2026年开始量产,预计将使联电新加坡Fab 12i厂总产能提升至每年超过100万片12吋晶圆。 此外,联电这座新厂也将成为新加坡最先进的半导体晶圆代工厂之一,提供用于通讯、物联网(IoT)、车用和人工智能(AI)创新领域的半导体芯片。据悉,联电位于新加坡白沙晶圆科技园区的全新扩建计划分为两期,第一期的总投资金
详情据经开区国控集团官微消息,4月2日,经开区国控集团与瀚海智芯入园协议签约仪式顺利举行。据悉,瀚海智芯通过全球化资源整合与产业链重构,创新“技术协同+整机引进”模式,成功打造出完全自主可控的GPU服务器供应体系。同时以“超融合算力架构”为核心竞争力,推出AI超级服务器和异构融合算力平台两大革命性产品。瀚海智芯GPU服务器项目正式签约落户萧经开信息港七期,未来将致力于芯片设计、封装、测试以及GPU服务
详情据日媒报道,日本先进半导体制造商Rapidus社长小池淳义日前在记者发布会上表示,该企业计划7月中下旬向客户提供首批试制芯片原型。据悉,Rapidus 在4月1日启动了位于北海道千岁市IIM-1晶圆厂的试验生产线,这条中试线将设备完成调试后于4月底前正式进行晶圆批次的生产。根据路线图,该企业计划在本财年向先行客户提供2nm GAA制程PDK。小池淳义称:“我们才刚刚起步,将带着紧迫感推进开发。”实
详情4月8日,士兰微发布公告,披露公司SiC项目的最新进展:“士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目截至目前,士兰明镓已形成月产9,000片6吋SiC MOS芯片的生产能力。基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在4家国内汽车厂家累计出货量5万只,客户端反映良好,随着6吋SiC芯片生产线产能释放,已实现大批量生产和交付。目前,公司已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MO
详情据报道,中国台湾地区芯片服务企业GUC创意电子日前宣布,其成功利用台积电最先进N3P制程和CoWoS-R先进封装完成全球首款HBM4 IP的流片。据悉,创意电子的HBM4 IP支持高达12Gbps的数据传输速率。相较于HBM PHY,实现了2.5倍的带宽提升,并将功耗效率提升1.5倍,面积效率提升2倍,PPA提升显著。创意电子表示,该企业通过创新的中介层布局设计,优化了HBM4 IP信号完整性与电
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